Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первой в отрасли 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая была оптимизирована для эффективной работы функций с применением 5G и ИИ на будущих смартфонах. Выпуск новых модулей начался всего через пять месяцев после старта производства 12 Гбит LPDDR4X – модулей предыдущего поколения, что доказывает лидерство Samsung на рынке памяти класса премиум.
Учитывая растущий спрос на компоненты с более высокой производительностью для смартфонов со стороны производителей премиальных мобильных устройств, в конце июля Samsung также намерена начать массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых будет объединять 8 чипов.
«Запуская массовое производство модулей 12 Гбит LPDDR5 второго поколения Samsung, выполненных по 10-нм техпроцессу, мы рады способствовать скорейшему запуску флагманских смартфонов с поддержкой 5G для наших клиентов во всем мире. Samsung по-прежнему стремится быстро внедрять технологии мобильной памяти нового поколения с более высокими емкостью и производительностью, продолжая активно стимулировать рост рынка памяти премиум-класса», – прокомментировал исполнительный директор и вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee).
Благодаря лучшим в отрасли скорости и энергоэффективности, новая мобильная DRAM от Samsung позволит флагманским смартфонам следующего поколения использовать весь потенциал функций 5G и ИИ, таких как запись видео сверхвысокого разрешения и машинное обучение, значительно при этом увеличивая время автономной работы устройств.
Обеспечивая скорость передачи данных 5500 Мбит/c, 12-гигабитная LPDDR5 работает примерно в 1,3 раза быстрее, чем мобильная память предыдущего поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), используемая в современных флагманских смартфонах. В 12-гигабитной планке модуль LPDDR5 способен всего за секунду передать 44 ГБ данных, что по объему равно около 12 фильмам в формате Full HD размером 3,7 ГБ каждый. Новый чип также потребляет на 30 процентов меньше энергии, чем его предшественник, благодаря интеграции новой конструкции схемы с улучшенными функциями тактирования, обучения и малым энергопотреблением, что обеспечивает стабильную производительность даже при работе смартфона на высокой скорости.
Для оптимизации производственных мощностей Samsung намерена перенести производство своих 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Корея), начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны клиентов. Кроме того, в следующем году компания планирует укрепить лидерские позиции на мировом рынке, начав разработку 16-гигабитной LPDDR5 памяти.
Дата | Объем памяти | Mobile DRAM |
---|---|---|
Июль 2019 | 12ГБ | 10-нм 12ГБ LPDDR5, 5500 Мбит/с |
Июнь 2019 | 6ГБ | 10-нм 12ГБ LPDDR5, 5500 Мбит/с |
Февраль. 2019 | 12ГБ | 10-нм 16ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит/с |
Апрель 2018 | 8ГБ (в разработке) | 10-нм 8ГБ LPDDR5, 6400 Мбит/с |
Сентябрь. 2016 | 8ГБ | 10-нм 16ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит/с |
Август 2015 | 6ГБ | 20-нм 12ГБ LPDDR4, 4266 Мбит/с |
Декабрь. 2014 | 4ГБ | 20-нм 8ГБ LPDDR4, 3200 Мбит/с |
Сентябрь. 2014 | 3ГБ | 20-нм 6ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с |
Ноябрь 2013 | 3ГБ | 20-нм 6ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с |
Июль 2013 | 3ГБ | 20-нм 4ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с |
Апрель 2013 | 2ГБ | 20-нм 4ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с |
Август 2012 | 2ГБ | 30-нм4ГБ LPDDR3, 1600 Мбит/с |
2011 | 1/2ГБ | 30-нм 4ГБ LPDDR2, 1066 Мбит/с |
2010 | 512МБ | 40-нм 2ГБ MDDR, 400 Мбит/с |
2009 | 256МБ | 50-нм 1ГБ MDDR, 400 Мбит/с |