GS Nanotech (центр разработки микроэлектроники в составе GS Group) начал производство твердотельных накопителей (SSD) с интерфейсом PCI Express, обеспечивающим до 5 раз более высокую скорость произвольных операций*. Объем памяти SSD достигает 2 ТБ. Разработка и производство устройств полностью локализованы в России в инновационном кластере «Технополис GS» (инвестиционный проект GS Group в г.Гусеве, Калининградская область).
PCI Express (PCI-e)— это интерфейс, через который SSD соединяется с другими устройствами. PCI-e позволяет обмениваться информацией со скоростью до 32 Гбит/с, в то время как для SATA 3.0 этот показатель не превышает 6 Гбит/с. SSD с интерфейсом PCI-e работают на специальном протоколе NVM Express, который поддерживает многоканальную работу — несколько приложений взаимодействуют с памятью одновременно, что ускоряет работу устройства и повышает его надежность, так как каналы резервируют друг друга. В результате скорость произвольных операций (ключевой показатель быстродействия SSD) у накопителей с интерфейсом PCI-e до 5 раз выше по сравнению с устройствами с интерфейсом SATA 3.0.
«В соответствии со стратегией развития производства носителей данных GS Group мы продолжаем расширять ассортимент твердотельных накопителей корпоративного класса для различных задач. Как мировой, так и российский рынок систем хранения данных интенсивно растут, и мы видим значительный интерес к отечественным разработкам в этой области. Интеграторов привлекает возможность контролировать производство на всех этапах, гарантии отсутствия «закладок», возможность производства небольших партий кастомизированных устройств», — отметил генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.
GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (solid-state drive, твердотельные накопители)– немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. Первый серийный образец накопителя емкостью 256 Гб с интерфейсом SATA 3.0 был выпущен в 2017 году. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производства SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых – последнее поколение кристаллов 3D TLC NAND памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл – разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий – реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.
Характеристики GS SSD:
| GS SSD SATA 3.0 | GS SSD PCI-e (NVMe) | |
|---|---|---|
| Скорость последовательной записи | До 520 Мб/с* | До 3200 Мб/с* |
| Скорость последовательного чтения | До 560 Мб/с* | До 3200 Мб/с* |
| Скорость произвольной записи | До 70 000 IOPS* | До 70 000 IOPS* |
| Скорость произвольного чтения | До 90 000 IOPS* | До 400 000 IOPS* |
* Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash памяти и объема накопителя